導光板HOTSPOT及亮暗線分析應用
隨著背光模組薄型化的潮流影響，導光板的厚度因為工業設計要求下越來越輕薄，相對的led使用數量對於耗能與待機時間就造成絕對的關係。
透過Optisworks的微結構建構功能與SOLIDWORKS參數功能，可以快速完成入光結構建構與修改調整。再結合 OPTISWORKS的逆向追跡應用更可以有效掌握亮暗線或區域對光跡作用現象。清楚解析原因，提出有效解決方案。
◎薄型Monitor BLU Hotspot 分析
單側入光：
▲(下側40顆LED入光)
導光板微結構：
導光板加上蝕刻網點後，出光量增加。
▲(此為側視圖，黃色線條為光線出光)
入光處無微結構：
▲(無微結構狀態，光線發散角度集中)
入光處無U溝結構之模擬結果：
模擬結果與實際情形相近，出現紅線框選的現象。
入光處做U型溝槽：
為使LED光源角度更均勻發散，我們於入光處加上U型溝槽微結構。
▲(加上微結構後,光線發散角度變大)
入光處含U溝結構之模擬結果：
由此發現於入光處增加U溝後，下方間隔暗線消失了。另右下角原一亮線因整體下方亮度提高，現在形成一明顯暗區。
模擬結果比對：
接下來針對右下角暗區部分，推測應與右下角的連接器有關。而我們可利用Optiswork獨有的「光逆追跡」來印證該推論，並尋求解決方案。
光逆追跡(亮區)：
原始設計將右下角網點放大，以求改良暗區部分，但實際情形顯示其效果未如預期。
光逆追跡(暗區)：
可發現右下角連接器擋住部分LED出光。此外，透過逆追跡發現暗區光線大都來自側壁的反射光，故欲改善出光效果，建議於側邊增加微結構。
◎Tablet BLU Hotspot 分析
下側兩角入光：
▲(面板上視圖)
導光板微結構：
導光板增加蝕刻網點：
下側兩角入光(修改前)：
導光板入光處無微結構，可看出入光擴散角度小。
模擬結果：
▲(紅線框選處為明顯暗區)
由於入光發散角度小，導致出光集中於中間與上側，形成左、右及下側暗區。
利用逆追跡來判斷暗區形成原因，以及如何有效改善。光逆追跡(設計變更前)：
框選左側暗區，根據逆追跡顯示該區域光線幾乎一半來自於右側LED光源。所以最有效改善方式為增加左側LED發散角度，以補該區不足光源。
下側兩角入光(修改前)：
透過入光處增加V-Cut結構，使入射光源發散角度增加。
修改光源入射處結構後，再次模擬並透過逆追跡觀察暗區改善情形。
模擬結果(增加V-Cut後)：
可發現與先前未增加V-Cut時，有著明顯差異。透過入射光發散角度增加，亮暗區對比下降。
光逆追跡(設計變更後)：
由逆追跡發現，該暗區來自左側LED光源增加。
光逆追跡(入光處作用情形)：
由左側暗區逆追回左側LED與入光處V-Cut作用情形，若想讓該區域光線更均勻，則應修改上側V-Cut傾斜角度。