隨著LED功率的提升中小尺寸手持顯示器,藉由降低LED數量來提升待機時間,隨這LED數量減少LED之間的間隔更開,造成AP Ratio大幅減少。入光的vcut或是RCUT結構更顯重要。Optisworks 2014提供光跡匯出功能,能夠匯出互動光跡(Interactive Ray Tracing),逆追跡(LXP)所產生之光跡,方便解析光線與入光結構的交互作用現象。
選定區域並將逆追跡所產生之光跡匯出程為草圖線段。
可以清楚檢視如下圖,觀察左側LED的逆追跡,可以發現光跡的幾乎都是先打到微結構的左半面再繼續行進,搭配照度圖即可合理推論Hotspot的成因。在hotspot左邊區域之光線都是與入光結構右邊接觸。
相對觀察右側LED的逆追跡,可以發現光跡的幾乎都是先打到微結構的右半面再繼續行進,綜合入光微結構對光跡的影響,我們可以得知:框選區域左側的LED的光跡大多只打到微結構的左半面而進入導光板,反之亦然。
左側光跡之草圖放大檢視
右側光跡之草圖放大檢視。
所以在連續型態之入光結構所產生之入光hot spot都發生於LED與LED間隔中間。如果透過V CUT間隔調整更能有效解決入光HOT SPOT品味問題。